Journal papers

Home > Publications > Journal papers

  • 56 H. J. Kim, S. H. Kim, J. I. Lee, K. N. Kang, D. M. Kim, and K. Cho "Optical Responses of InGaP/GaAs/InGaAs P-Channel Double Heterojunction Pseudomorphic MODFET" Electronics Lett., vol. 34, no. 1, pp. 126-128, 1998-01
  • 55 S. H. Song and D. M. Kim "A Novel Analytical Model for Short Channel Heterostructure Field Effect Transistors" Solid-State Electronics, vol. 42, no. 4, pp. 605-612, 1998-
  • 54 H. J. Kim, S. J. Kim, D. M. Kim, H. Y. Chung, D. H. Woo, S. I. Kim, W. J. Choi, I. K. Han, J. I. Lee, K. N. Kang, and K. Cho "Microwave Characteristics of GaAs MESFET with Optical Illumination" Inst. of Phys. Conf. Ser., no. 145 (iscs'95), pp. 763-768, 1987-
  • 53 H. T. Kim, I. C. Nam, K. S. Kim, K. H. Kim, J. B. Choi, J. U. Lee, S. W. Kim, G. C. Kang, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang, and D. M. Kim "Extraction of source and drain resistances in MOSFETs using parasitic bipolar junction transistor" Electronics Lett., vol. 41, no. 13, pp. 772-774, 2005-06
  • 52 I. C. Nam, H. T. Kim, K. S. Kim, K. H. Kim, J. B. Choi, J. U. Lee, S. W. Kim, G. C. Kang, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang, and D. M. Kim "Modeling of the Substrate Current and Characterization of Traps in MOSFETs under Sub-Bandgap Photonic Excitation" J. of the Korean Phys. Soc., vol. 45, no. 5, pp. 1283-1287, 2004-11
  • 51 T. E. Kim, H. T. Kim, H. T. Shin, H. S. Park, K. S. Kim, I. C. Nam, K. H. Kim, J. B. Choi, J. U. Lee, S. W. Kim, G. C. Kang, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang, and D. M. Kim "Sub-Bandgap Photonic Gated-Diode Method for Extracting the Distribution of Hot-Carrier-Induced Interface States in MOSFETs" J. of the Korean Phys. Soc., vol. 44, no. 6, pp. 1479-1484, 2004-06
  • 50 H. T. Shin, K. H. Kim, K. S. Kim, I. C. Nam, J. B. Choi, J. U. Lee, S. W. Kim, H. T. Kim, T. E. Kim, H. S. Park, G. C. Kang, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang, and D. M. Kim "Sub-Bandgap Photonic Base Current Method for Characterization of Interface States at Heterointerfaces in Heterojunction Bipolar Transistors" J. of the Korean Phys. Soc., vol. 44, no. 6, pp. 1485-1489, 2004-06
  • 49 K. R. Kim, D. H. Kim, K.-W. Song, G. Baek, H. H. Kim, J. I. Huh, J. D. Lee, and B. G. Park "Silicon-Based Field-Induced Band-to-band Tunneling Effect Transistor" IEEE Electron Device Letters, vol. 25, no. 6, pp. 439-441, 2004-06
  • 48 K. R. Kim, K.-W. Song, D. H. Kim, G. Baek, H. H. Kim, J. I. Huh, J. D. Lee, B.-G. Park "Analytical Modeling of Realistic Single-Electron Transistors Based on Metal-Oxide-Semiconductor Structure with a Unique Distribution Function in the Coulomb-Blockade Oscillation Region" Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, pp. 2031-2035, part 1, no. 4b, 2004-04
  • 47 K. R. Kim, D. H. Kim, J. D. Lee, B.-G. Park "Coulomb Oscillations Based on Band-to-band Tunneling in a Degenerately Doped Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor" Appl. Phys. Lett., vol. 84, no. 16, pp. 3178~3180, 2004-04
  • 46 K.-W. Song, K. R. Kim, J. D. Lee, B.-G. Park, S.-H. Lee, and D. H. Kim "A SPICE Model of Realistic Single-Electron Transistors and Its Application to Multiple-Valued Logic" Journal of Korean Physical Society, vol. 44, no. 1, pp. 121-124, 2004-01
  • 45 M. S. Kim, I. C. Nam, H. T. Kim, H. T. Shin, T. E. Kim, H. S. Park, K. S. Kim, K. H. Kim, J. B. Choi, K. S. Min, D. J. Kim, D. W. Kang, and D. M. Kim "Optical Subthreshold Current Method for Extracting the Interface States in MOS Systems" IEEE Electron Device Lett., vol. 25, no. 2, pp. 101-103, 2004-02
  • 44 M. S. Kim, H. T. Kim, S. S. Chi, T. E. Kim, H. T. Shin, H. S. Park, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang, and D. M. Kim "Distribution of Interface States in MOS Systems Extracted by the Subthreshold Current in MOSFETs under Optical Illumination" J. of the Korean Phys. Soc., vol. 43, no. 5, pp. 878-883, 2003-11
  • 43 S. S. Chi, H. T. Kim, M. S. Kim, T. E. Kim, H. T. Shin, H. S. Park, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang, and D. M. Kim "Photonic Gated-Diode Method for Extracting the Energy-Dependent and Spatial Distributions of Interface States in MOSFETs" J. of the Korean Phys. Soc., vol. 43, no. 5, pp. 884-891, 2003-11
  • 42 S. S. Chi, H. T. Kim, M. S. Kim, T. E. Kim, H. T. Shin, H. S. Park, K. H. Kim, K. S. Kim, I. C. Nam, D. J. Kim, K. S. Min, D. W. Kang, and D. M. Kim "Sub-Bandgap Photonic Gated-Diode Method for Extracting the Distributions of Interface States in MOSFETs" Electronics Lett., vol. 39, no. 24, pp. 1761-1763, 2003-11
  • 41 D. M. Kim, H. C. Kim, and H. T. Kim "Modeling and Extraction of Gate Bias-Dependent Parasitic Source and Drain Resistances in MOSFET's" Solid-State Electronics, vol. 47, no. 10, pp. 1707-1712, 2003-12
  • 40 D. M. Kim, S. J. Song, H. T. Kim, S. H. Song, D. J. Kim, K. S. Min, and D. W. Kang "Deep-Depletion High-Frequency Capacitance-Voltage Responses under Photonic Excitation and Distribution of Interface States in MOS Capacitors" IEEE Trans. Electron Devices, vol. 50, no. 4, pp. 1131-1134, 2003-04
  • 39 S. D. Cho, H. T. Kim, and D. M. Kim "Physical Mechanisms on the Abnormal Gate Leakage Currents in Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors" IEEE Trans. Electron Devices, vol. 50, no. 4, pp. 1148-1152, 2003-04
  • 38 H. J. Kim, I. Han, W. J. Choi, Y. J. Park, W. J. Cho, J. I. Lee, D. M. Kim, and J. Zimmermann "Analytic Model for Photo-Response of p-Channel MODFET's" J. of the Korean Phys. Soc., vol. 42, no. supp. issue. 2, pp. s642-s646, 2003-02
  • 37 S. D. Cho, H. T. Kim, S. J. Song, S. S. Chi, M. S. Kim, W. S. Chang, H. J. Kang, H. T. Shin, T. E. Kim, D. J. Kim, and D. M. Kim "A Physics-Based Continuous Charge-Sheet MOSFET Model using a Balanced Bulk Charge Sharing Method" J. of the Korean Phys. Soc., vol. 42, no. 2, pp. 214-223, 2003-02