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  • 13 캐패시터가 없는 에스비이 디램 셀 트랜지스터 구조
    Patent
    : 김동명,김대환,이순영,장재만,김효종,신자선
    Applicant
    : 국민대학교산학협력단
    Application
    /Resistration
    : 출원
    Application
    /Patent Number
    : 10-2010-0045681
    Filing
    /Issue Date
    : 2010-05-14
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 12 실리콘 나노와이어 바이오센서
    Patent
    : 김대환,정인영
    Applicant
    : 국민대학교산학협력단
    Application
    /Resistration
    : 출원
    Application
    /Patent Number
    : 10-2010-0044401
    Filing
    /Issue Date
    : 2010-05-12
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 11 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 및 이를 이용한 노어 타입 메모리 아키텍쳐
    Patent
    : 김동명,김대환,이순영
    Applicant
    : 국민대학교산학협력단
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : 10-0956798
    Filing
    /Issue Date
    : 2010-04-30
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 10 다중비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 및 이의 구동 방법
    Patent
    : 김동명,김대환,이순영
    Applicant
    : 국민대학교산학협력단
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : 10-0942240
    Filing
    /Issue Date
    : 2010-02-05
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 9 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 및 이를 이용한 노어 타입 메모리 아키텍처
    Patent
    : 김동명,김대환,이순영
    Applicant
    : 국민대학교산학협력단
    Application
    /Resistration
    : 출원
    Application
    /Patent Number
    : 10-2009-0064187
    Filing
    /Issue Date
    : 2009-07-14
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 8 다중비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 및 이의 구동 방법
    Patent
    : 김동명,김대환,이순영
    Applicant
    : 국민대학교산학협력단
    Application
    /Resistration
    : 출원
    Application
    /Patent Number
    : 10-2009-0064183
    Filing
    /Issue Date
    : 2009-07-14
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 7 비정질 반도체 TFT의 전기적 특성을 산출하는 방법 및 장치 (OCPM)
    Patent
    : 박재철,김대환,허지현,김창정
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 출원
    Application
    /Patent Number
    : 10-2009-0053494
    Filing
    /Issue Date
    : 2009-06-16
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 6 On-chip Bypass Capacitor and Method of Manufacturing the Same
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : US 0063134
    Filing
    /Issue Date
    : 2007-02-13
    Nation of the
    Application
    : 미국
  • 5 내부 전압 발생 회로
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : 10-629258
    Filing
    /Issue Date
    : 2006-09-21
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 4 차아지 펌핑 효율을 유지하는 승압 전압 발생 회로
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : 10-585144
    Filing
    /Issue Date
    : 2006-05-24
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 3 온칩 바이패스 캐패시터 및 그 제조방법
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : 10-568450
    Filing
    /Issue Date
    : 01/04/2006
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 2 Method for Fabricating Single Electron Transistor
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 현대전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : US 6335245
    Filing
    /Issue Date
    : 02/01/2002
    Nation of the
    Application
    : 미국
  • 1 Method for Fabricating Single Electron Transistor
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 현대전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : US 6211013
    Filing
    /Issue Date
    : 04/04/2002
    Nation of the
    Application
    : 미국
  Patent Title Applicant Application
/Resistration
Application
/Patent Number
Filing
/Issue Date
Nation of the
Application
13 김동명,김대환,이순영,장재만,김효종,신자선 캐패시터가 없는 에스비이 디램 셀 트랜지스터 구조 국민대학교산학협력단 출원 10-2010-0045681 2010-05-14 대한민국
12 김대환,정인영 실리콘 나노와이어 바이오센서 국민대학교산학협력단 출원 10-2010-0044401 2010-05-12 대한민국
11 김동명,김대환,이순영 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 및 이를 이용한 노어 타입 메모리 아키텍쳐 국민대학교산학협력단 등록 10-0956798 2010-04-30 대한민국
10 김동명,김대환,이순영 다중비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 및 이의 구동 방법 국민대학교산학협력단 등록 10-0942240 2010-02-05 대한민국
9 김동명,김대환,이순영 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 및 이를 이용한 노어 타입 메모리 아키텍처 국민대학교산학협력단 출원 10-2009-0064187 2009-07-14 대한민국
8 김동명,김대환,이순영 다중비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 및 이의 구동 방법 국민대학교산학협력단 출원 10-2009-0064183 2009-07-14 대한민국
7 박재철,김대환,허지현,김창정 비정질 반도체 TFT의 전기적 특성을 산출하는 방법 및 장치 (OCPM) 삼성전자(주) 출원 10-2009-0053494 2009-06-16 대한민국
6 공동발명자 On-chip Bypass Capacitor and Method of Manufacturing the Same 삼성전자(주) 등록 US 0063134 2007-02-13 미국
5 공동발명자 내부 전압 발생 회로 삼성전자(주) 등록 10-629258 2006-09-21 대한민국
4 공동발명자 차아지 펌핑 효율을 유지하는 승압 전압 발생 회로 삼성전자(주) 등록 10-585144 2006-05-24 대한민국
3 공동발명자 온칩 바이패스 캐패시터 및 그 제조방법 삼성전자(주) 등록 10-568450 01/04/2006 대한민국
2 공동발명자 Method for Fabricating Single Electron Transistor 현대전자(주) 등록 US 6335245 02/01/2002 미국
1 공동발명자 Method for Fabricating Single Electron Transistor 현대전자(주) 등록 US 6211013 04/04/2002 미국